在超大功率MOSFET领域，英飞凌（Infineon）和 IXYS 长期占据行业主导地位，其产品也始终深受工程师的信赖与认可。近年来，随着国产化进程加速，部分项目已开始优先采用纯国产品牌器件。然而，在超大功率产品线中，我们此前仍存在规格空缺。为此，2024年我们正式推出该款产品配资app下载，历经一年多的可靠性验证与小批量市场应用，积累了丰富的实测数据与反馈。如今，ANMP006P0095ST 已全面正式上市，这款产品完美替代IXTN210P10T。
ANMP006P0095ST （SOT-277 P-CH Vds=-95V/Id=-200A）
产品实拍图片
产品特点：
采用先进技术：提供优异的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，栅极工作电压最低可达4.5V。 高电压高电流能力： 漏源电压（VDS）高达-95V 连续漏极电流（ID）达-200A（Tc=25°C） 低导通电阻： 典型值6mΩ（VGS=-10V，ID=20A） 最大值8mΩ 快速开关性能： 开启延迟时间（td(on)）仅40ns 上升时间（tr）47ns 关断延迟时间（td(off)）200ns 高功率处理能力： 总功耗（Pb）可达560W（Tc=25°C） 单脉冲雪崩能量（EAS）达358mJ 集成体二极管特性： 最大连续正向电流（IS）达-200A 反向恢复时间（trr）仅42ns 宽温度工作范围： 结温（TJ）支持-55°C至150°C 封装紧凑：采用SOT-227模块封装，适用于表面贴装。 适用场景广泛：尤其适用于电池保护开关及其他高频开关应用。如果需要进一步了解参数或者需要规格书配资app下载，请随时联系代理商0755-23073210。
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