
在超大功率MOSFET领域,英飞凌(Infineon)和 IXYS 长期占据行业主导地位,其产品也始终深受工程师的信赖与认可。近年来,随着国产化进程加速,部分项目已开始优先采用纯国产品牌器件。然而,在超大功率产品线中,我们此前仍存在规格空缺。为此,2024年我们正式推出该款产品配资app下载,历经一年多的可靠性验证与小批量市场应用,积累了丰富的实测数据与反馈。如今,ANMP006P0095ST 已全面正式上市,这款产品完美替代IXTN210P10T。
ANMP006P0095ST (SOT-277 P-CH Vds=-95V/Id=-200A)
产品实拍图片
产品特点:
采用先进技术:提供优异的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,栅极工作电压最低可达4.5V。 高电压高电流能力: 漏源电压(VDS)高达-95V 连续漏极电流(ID)达-200A(Tc=25°C) 低导通电阻: 典型值6mΩ(VGS=-10V,ID=20A) 最大值8mΩ 快速开关性能: 开启延迟时间(td(on))仅40ns 上升时间(tr)47ns 关断延迟时间(td(off))200ns 高功率处理能力: 总功耗(Pb)可达560W(Tc=25°C) 单脉冲雪崩能量(EAS)达358mJ 集成体二极管特性: 最大连续正向电流(IS)达-200A 反向恢复时间(trr)仅42ns 宽温度工作范围: 结温(TJ)支持-55°C至150°C 封装紧凑:采用SOT-227模块封装,适用于表面贴装。 适用场景广泛:尤其适用于电池保护开关及其他高频开关应用。如果需要进一步了解参数或者需要规格书配资app下载,请随时联系代理商0755-23073210。
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